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HBM/MM靜電放電發(fā)生器
HBM/MM靜電放電發(fā)生器

HBM/MM靜電放電發(fā)生器是針對人體模式HBM和機械模式MM靜電放電抗攏度試驗的特點(diǎn)和要求專(zhuān)門(mén)設計,用于評估電氣和電子設備遭受直接來(lái)自操作者和對鄰近物體的靜電放電干擾時(shí)的性能提供一個(gè)評定依據。

靜電放電發(fā)生器PESD-30T2
靜電放電發(fā)生器PESD-30T2

靜電放電發(fā)生器PESD-30T2是針對電磁兼容-靜電放電(ESD)抗擾度實(shí)驗的要求而專(zhuān)門(mén)設計的,用于評估電氣和電子設備遭受直接來(lái)自操作者和對鄰近物體的靜電放電干擾時(shí)的性能提供一個(gè)評定依據

靜電放電發(fā)生器PESD-30T1
靜電放電發(fā)生器PESD-30T1

靜電放電發(fā)生器PESD-30T1是針對電磁兼容—靜電放電(ESD)抗擾度實(shí)驗的要求而專(zhuān)門(mén)設計的,用于評估電氣和電子設備遭受直接來(lái)自操作者和對鄰近物體的靜電放電干擾時(shí)的性能提供一個(gè)評定依據

靜電放電發(fā)生器PESD-20T1
靜電放電發(fā)生器PESD-20T1

靜電放電發(fā)生器PESD-20T1用于評估電氣和電子設備遭受直接來(lái)自操作者和對鄰近物體的靜電放電干擾時(shí)的性能提供一個(gè)評定依據。

半導體靜電放電發(fā)生器
半導體靜電放電發(fā)生器

ESD3015T半導體靜電放電發(fā)生器是為半導體器件及IC抗靜電測試而設計的,符合國家標準GJB548A-96方法3015、GJB128A-97方法1020、MIL-STD-883D、EIAJED-4701等測試要求。電腦控制,全部參數數字設定。輸出電壓精度高,性能穩定,測試結果精確。

靜電放電發(fā)生器
靜電放電發(fā)生器

PESD6030靜電放電發(fā)生器產(chǎn)品介紹:$n靜電放電的起因:靜電的起因有摩擦起電、接觸分離起電、感應起電、傳導起電等多種,但IEC61000-4-2 主要描述在低濕度情況下,通過(guò)摩擦等因素,使人體積累了靜電,當帶有靜電的人在與設備接觸的過(guò)程中,就可能產(chǎn)生靜電放電。

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